韩国存储器两大巨头海力士与三星，将在2026年2月15日至19日于旧金山举行的国际固态电路大会（ISSCC 2026）上，同台亮出各自的下一代LPDDR6存储器解决方案。
图片来源：推特
海力士将推出容量为16Gb的LPDDR6模块，每引脚传输速率达到14.4Gbps，实力不容小觑。该产品基于1c代（1γ代）半导体节点打造，正是海力士旗下的第六代10纳米级DRAM工艺。海力士明确表示，这些新模块将运行在JEDEC规定的LPDDR6最高速率水平，意味着该公司已接近这个技术标准的上限，也暗示了未来可能会推出超频版本的LPDDR6X产品。
图片来源：推特
三星则在此前CES 2026首次展示的基础上，对LPDDR6规格进行了提升。其 16Gb LPDDR6 模块的运行速率从几周前公布的10.7Gbps提升至12.8Gbps，这一速度提升可以说是相当明显。据行业消息，三星的LPDDR6采用12纳米工艺制造，三星表示，与前代LPDDR5X相比，新一代 LPDDR6 在能效方面实现了21%的提升。
在接口技术层面，三星的LPDDR6内存采用NRZ信号进行输入输出，还专门配备了12DQ子通道，而行业内普遍猜测，海力士的同系列模块大概率也会采用类似设计，毕竟这种方案在实用性上确实颇具优势。
图片来源：推特
除了基础规格的提升，两家公司展示的LPDDR6产品，还涵盖了新一代标准引入的多项技术更新。其中最重要的变化之一，就是首次在DRAM标准中引入了集成行激活计数追踪机制。可能有朋友会疑惑，这一机制到底有什么用？简单来说，它通过控制器与内存芯片共同监控行激活次数，以直接应对Row Hammer攻击，而不再像以往那样仅依赖基于刷新机制的缓解方式。通过在控制器与芯片两端协同监测激活计数，这一设计提升了对潜在攻击的防护能力。
图片来源：推特
LPDDR6标准还创新性地将元数据嵌入数据包内部，不再通过专用引脚进行传输。这一改变让内存系统实现了更全面的片内与链路级纠错能力，可支持单比特纠错与多比特检测，与此前标准相比，这种设计在数据完整性保障方面，无疑是向前迈出了一大步。
最后，咱们再来聊聊大家都很关心的功耗问题。LPDDR6支持跨三条电压轨的动态电压频率调节，而前代的LPDDR5仅支持两条电压轨，新增的电压轨设计，能够更好地适配不同场景下的功耗需求。同时，新标准还引入了效率模式，既能有效降低I/O功耗，又能实现设备密度翻倍，一举两得。
图片来源：推特
整体来看，海力士与三星此次在ISSCC 2026上的同台亮相，两者将分别展示基于最新工艺节点打造的16Gb LPDDR6产品，分别达到14.4Gbps与12.8Gbps的每引脚速率，同时围绕新一代标准，在行激活计数追踪、嵌入式元数据纠错机制以及三电压轨动态调节等多个关键技术领域，全面展示各自的技术进展，这场同台竞技，必将成为本次ISSCC 2026的一大看点。
图片来源：推特
